Планы CXMT обогнать Samsung и SK hynix по DDR5 аналитики называют «бумажным тигром»

Подробности

Китайская компания CXMT, производитель памяти, объявила о планах опередить Samsung, SK hynix и Micron за счёт внедрения новой архитектуры DRAM с плотностью размещения ячеек 4F². Об этом на конференции Integrated Chip and Chiplet Conference в Шанхае рассказал президент CXMT Цао Канью. Технология 4F² предполагает вертикальное расположение транзисторов и других компонентов, что теоретически позволяет уменьшить площадь ячейки памяти, повысить плотность хранения данных, снизить энергопотребление и улучшить характеристики чипов по сравнению с традиционной архитектурой 6F², используемой в современной памяти DDR4, DDR5 и HBM.

Однако аналитики Rosenblatt относятся к этим амбициям скептически, называя их скорее громким заявлением, чем реальной угрозой для лидеров рынка. В Bank of America также полагают, что выбор архитектуры 4F² во многом обусловлен американскими санкциями, ограничивающими доступ Китая к передовому оборудованию. По оценке Bank of America, из-за отсутствия доступа к литографическим установкам EUV компании CXMT приходится искать альтернативные способы уменьшения размеров ячеек, например, использовать вертикальную компоновку, продолжая выпускать чипы на более старом оборудовании DUV.

Сама по себе архитектура 4F² не гарантирует технологического превосходства. Для достижения высокой плотности памяти важен и производственный процесс. Крупнейшие производители памяти изучают архитектуру 4F² уже более десяти лет, но пока не перешли к массовому производству из-за высокой стоимости, низкого выхода годных чипов и сложностей с сертификацией у заказчиков. Дополнительную проблему создаёт плотная компоновка транзисторов и конденсаторов, из-за которой структура ячеек становится более хрупкой.

По данным Rosenblatt, лидеры рынка уже используют шестое поколение техпроцессов класса 10 нм, тогда как CXMT рассчитывает выпускать память 4F² с применением технологии 15 нм. Аналитики считают, что на таком уровне производства новая архитектура не обязательно обеспечит преимущество по себестоимости. Поэтому заявления об опережении конкурентов на два года они оценивают скептически.

Тем не менее Bank of America допускает, что CXMT может стать серьёзным конкурентом, если сумеет наладить массовый выпуск новой памяти в 2027–2028 годах, а Samsung, SK hynix и Micron продолжат полагаться на архитектуру 6F². Дополнительным фактором может стать развитие оборудования китайской компании Naura, которая демонстрирует технологии, потенциально позволяющие производить память с вертикальным расположением компонентов. Пока планы CXMT остаются заявленными намерениями, а не доказанным технологическим прорывом. Реальное влияние компании на рынок будет зависеть от того, сможет ли она обеспечить стабильный массовый выпуск чипов и добиться конкурентоспособной себестоимости.