Суд США отклонил возражения Samsung, Micron и SK hynix по делу о дефиците DRAM

Крупнейшие производители оперативной памяти Samsung, Micron и SK hynix получили новый импульс в коллективном судебном разбирательстве в США. Федеральный судья отклонил попытку компаний оспорить претензии истцов, которые обвиняют их в согласованных действиях, приведших, по мнению заявителей, к искусственному ограничению предложения DRAM и резкому росту цен. Таким образом, разбирательство может продолжиться, несмотря на возражения ответчиков.

Суть претензий и позиция истцов

Коллективный иск был подан 25 июня 2026 года в федеральный суд Калифорнии. Истцы утверждают, что Samsung, Micron и SK hynix использовали своё доминирующее положение на рынке памяти для согласованного перераспределения производственных мощностей в пользу высокопроизводительной памяти HBM, востребованной в ускорителях искусственного интеллекта. По версии заявителей, такой переход сопровождался ограничением выпуска традиционной DRAM, включая DDR3 и DDR4, что способствовало возникновению дефицита и повышению стоимости продукции.

В центре разбирательства находится вопрос о том, были ли решения производителей самостоятельной реакцией на растущий спрос со стороны индустрии искусственного интеллекта или результатом антиконкурентной координации. Истцы добиваются компенсации ущерба, который, по их мнению, понесли покупатели продукции, содержащей оперативную память.

При этом отказ суда удовлетворить возражения производителей не означает признания Samsung, Micron и SK hynix виновными в ценовом сговоре. Окончательное решение по существу обвинений ещё не принято, а обстоятельства предполагаемых нарушений предстоит установить в ходе дальнейшего разбирательства.