Samsung, SK hynix и Micron приступили к разработке оперативной памяти DDR6

Подробности

Ведущие производители памяти ускоряют разработку оперативной памяти следующего поколения — DDR6. Согласно отчётам южнокорейского издания The Elec и данным аналитиков, Samsung, SK hynix и Micron перешли от стадии прототипов к раннему взаимодействию с производителями подложек и активной фазе разработки. Первые системы с поддержкой DDR6, вероятно, появятся уже в 2027 году, однако процесс будет поэтапным, а широкое распространение займёт несколько лет. Основные характеристики и производительность

Стандарт DDR6, согласно спецификациям JEDEC, предлагает впечатляющий прирост производительности. Базовая скорость передачи данных составит 8800 МТ/с, а максимальная — до 17600 МТ/с. По сравнению с DDR5, базовая скорость вырастет более чем на 80%, а максимальная планка почти вдвое превысит потолок современных высокоскоростных наборов. Такой рывок станет возможен благодаря переходу на архитектуру с четырьмя 24-битными подканалами (4x24-bit), что на 50% повышает пропускную способность по сравнению с нынешней схемой из двух 32-битных каналов. В результате максимальная пропускная способность двухканальной конфигурации может достичь 144 ГБ/с.

Текущие планы производителей выглядят следующим образом: конец 2026 — начало 2027 года — завершение платформенного тестирования и валидации; начало 2027 года — появление первых серверных систем и AI-ускорителей с поддержкой DDR6; конец 2027 — начало 2028 года — старт продаж потребительских платформ, включая процессоры для ПК и ноутбуков, а также материнские платы.

По прогнозам TrendForce и 3DCenter, DDR5 уже достиг доминирования: к 2025 году его доля на рынке серверов превысит 80%, а к 2027 году может составить около 90%. Эта ситуация освободит производственные мощности от выпуска DDR4 и позволит начать массовый переход на новые стандарты.

Столь высокие частоты требуют новых подходов к проектированию. Традиционный форм-фактор DIMM сталкивается с физическими пределами по целостности сигнала. Вероятнее всего, переход на DDR6 будет сопровождаться внедрением формата CAMM2. Этот компактный и низкопрофильный модуль изначально разрабатывался для ноутбуков, но теперь рассматривается как основное решение для платформ высокого класса. CAMM2 обеспечивает лучшую целостность сигнала и более эффективное питание, что критически важно для работы на высоких скоростях, а также позволяет создавать более тонкие и компактные системы.

DDR6 выведет вычислительные системы на принципиально новый уровень производительности, а форм-фактор CAMM2 постепенно станет новым стандартом де-факто. Однако, как и в случае с DDR5, не стоит ожидать мгновенной доступности и низких цен — на начальном этапе новинка будет премиальным решением для серверов и рабочих станций.