Samsung приближается к «золотому» уровню выхода HBM4 и готовится бросить вызов SK Hynix

Компания Samsung Electronics добилась значительного прогресса в производстве высокопроизводительной памяти HBM4. Согласно отраслевым данным, показатель выхода годных чипов приблизился к 80% — уровню, который в индустрии считается «золотым». Это особенно важно для Samsung, которая стремится вернуть утраченные позиции на быстрорастущем рынке памяти для систем искусственного интеллекта, где сейчас доминирует SK Hynix.

Ускорение производства и улучшение показателей

По информации Sedaily, на начальном этапе массового производства HBM4 в феврале выход годных изделий составлял менее 60%. Однако благодаря оптимизации технологического процесса компании удалось значительно улучшить результат и уже примерно за полгода приблизиться к отметке 80%. Изначально Samsung рассчитывала достичь такого показателя лишь к концу года, однако теперь планы удалось перевыполнить.

HBM4 производится с использованием 10-нм класса технологического процесса 1c для DRAM и 4-нм логического процесса. Память обеспечивает скорость передачи данных до 13 Гбит/с на контакт и пропускную способность до 3, 3 ТБ/с на стек. Samsung предлагает 12-слойные конфигурации объёмом 24–36 ГБ, а 16-слойные варианты достигают 48 ГБ. Также заявлены 2048 линий ввода-вывода, повышение энергоэффективности на 40% и улучшенные характеристики теплоотвода по сравнению с предыдущим поколением HBM3E.

Высокий выход годных чипов уже положительно сказался на планах компании. Сообщается, что Samsung втрое увеличила прогноз выручки от HBM4 в третьем квартале и рассчитывает нарастить долю HBM4 среди своих решений для рынка памяти более чем на 60% во второй половине 2026 года. Это позволит компании укрепить свои позиции и составить более серьёзную конкуренцию SK Hynix.

Следующим шагом станет выпуск памяти HBM4E. По имеющимся данным, Samsung уже довела показатель выхода годных изделий на этапе испытаний надёжности примерно до 70%. Ранее представленная HBM4E рассчитана на объём до 48 ГБ на стек, скорость до 16 Гбит/с и пропускную способность до 4 ТБ/с. Это ещё больше расширит возможности компании в сегменте высокопроизводительной памяти.

Главным подтверждением прогресса Samsung становится сотрудничество с AMD: компания уже использует HBM4 производства Samsung в платформе Instinct MI400. В дальнейшем Samsung рассчитывает расширить присутствие и добиться поставок HBM4E для будущих решений NVIDIA, включая Rubin Ultra, а также для следующего поколения ускорителей AMD. Это позволит компании закрепиться на рынке и составить серьёзную конкуренцию SK Hynix.