Несмотря на огромный спрос на HBM-память со стороны производителей ИИ-ускорителей, обычная DRAM пока остаётся для Micron значительно более прибыльным направлением. Согласно оценкам UBS, валовая маржа Micron на обычной DRAM выросла с 44% в 2025 году до 50%, а в начале 2026-го резко поднялась примерно до 80%. В 2027 году показатель может достичь впечатляющих 95%, после чего в 2028-м, как ожидается, останется на уровне около 93%.
Почему HBM уступает по марже
У HBM ситуация другая. Хотя эта память крайне востребована для дата-центров и ИИ-систем благодаря высокой пропускной способности и большой ёмкости, её производство значительно сложнее. HBM состоит из нескольких DRAM-кристаллов, расположенных друг над другом. Такая конструкция приводит к более высоким производственным затратам и проблемам с выходом годных чипов. Кроме того, производство HBM требует большего количества DRAM-кристаллов с каждой пластины, сокращая доступные мощности для выпуска обычной памяти.
UBS ожидает, что в 2027 году валовая маржа HBM Micron составит примерно 75–78%. Это всё ещё очень высокий показатель, но заметно ниже ожидаемой маржи обычной DRAM. При этом Micron продолжает активно наращивать производство HBM. По оценкам UBS, квартальные поставки компании могут увеличиться с 0, 1 эксабайта в начале 2025 года до 0, 43 эксабайта к концу 2027-го.
Таким образом, несмотря на ажиотаж вокруг HBM, именно обычная DRAM остаётся основным источником прибыли для Micron. Это связано с более простым производственным процессом и меньшими затратами. Однако компания делает ставку на расширение выпуска HBM, чтобы удовлетворить растущий спрос со стороны ИИ-индустрии.
Эксперты отмечают, что такая динамика может сохраниться в ближайшие годы, поскольку производственные мощности для HBM ограничены, а спрос на обычную DRAM остаётся стабильным. В итоге Micron получает двойную выгоду: высокую маржу от обычной памяти и растущий объём продаж HBM.

Комментарии
Оставляйте комментарии, отвечайте другим пользователям, ставьте плюсы и минусы и добавляйте быстрые реакции.
Войдите в аккаунт, чтобы оставлять комментарии, отвечать другим пользователям и ставить реакции.