Intel 14A: лучший техпроцесс со времён 22 нм — плотность дефектов падает рекордными темпами

Финансовый директор Intel Дэвид Зинснер на конференции Deutsche Bank 2026 Technology Conference сообщил, что уверенность компании в своём передовом техпроцессе 14A (1, 4 нм) продолжает расти. По его словам, показатели плотности дефектов на этом узле улучшаются рекордными темпами, превосходя все предыдущие поколения. Собственные команды разработчиков уже создают продукты на 14A, а внешние клиенты начали всерьёз интересоваться объёмами поставок.

«Если посмотреть на плотность дефектов, 14A показывает результаты лучше целевых показателей, которые мы установили, — заявил Зинснер. — Он также превосходит все предыдущие узлы по скорости снижения дефектов. Мы не видели таких показателей со времён 22-нм техпроцесса, который является одним из лучших в истории Intel».

Intel планирует начать риск-производство собственных продуктов на 14A во второй половине 2027 года, а массовый выпуск — в 2028-м. Таким образом, до крупносерийного производства остаётся около двух лет, и на данном этапе разработки траектория снижения дефектов выглядит как минимум столь же успешной, как у 22-нм процесса на сопоставимой стадии (примерно в 2010 году).

Нюансы сравнения с 22-нм техпроцессом

Однако в таком сравнении есть несколько нюансов. Плотность дефектов на 14A сейчас не обязательно эквивалентна плотности дефектов на 22 нм за два года до массового производства. Из-за прогресса в оборудовании для обработки пластин и контроля то, что Intel считает дефектом сегодня, может отличаться от того, что считалось дефектом 16 лет назад. Сама по себе плотность дефектов не равна прямо пропорционально выходу годных изделий.

Тем не менее, сам факт сравнения с 22 нм — обнадёживающий сигнал. 22-нм техпроцесс стал первым в отрасли на базе FinFET-транзисторов. В отличие от него, 14A будет использовать транзисторы RibbonFET второго поколения с круговым затвором (GAA), систему питания с обратной стороны PowerDirect второго поколения и литографию High-NA EUV. Учитывая сложность этих технологий, заявление о рекордном снижении дефектов за два года до массового производства — действительно хорошая новость.

Сравнение 14A с преемниками 22-нм узла должно вселять оптимизм: массовое производство 14 нм было отложено на год из-за недостаточного выхода годных изделий, первое поколение 10 нм оказалось неудачным, 20A был отменён, а плотность дефектов на 18A оставалась высокой даже на этапе массового производства. Поэтому успешное освоение 14A стало бы для Intel важнейшим шагом в восстановлении лидерства в полупроводниковом производстве.

«Сейчас мы видим спрос на 14A со стороны внутренних клиентов, и они, пожалуй, самые скептичные из всех, — сказал Зинснер. — Тот факт, что они уже разрабатывают продукты на 14A, значительно укрепил нашу уверенность. Кроме того, взаимодействие с внешними клиентами вышло на новый уровень — они перестали просто анализировать данные и начали спрашивать: "сколько мощностей я могу получить?" и "как будет выглядеть это предложение?"».

Согласно последним данным, 0, 9-версия PDK (процессного дизайн-кита) для 14A ожидается в октябре 2026 года. Для поддержки производства Intel ускоряет строительство заводов: Fab 62 и Fab 52 в Аризоне готовятся к установке оборудования, а ключевой завод в Огайо будет напрямую задействован в массовом выпуске 14A.

14A обещает стать долгосрочной платформой для Intel, подобно тому, как 22-нм технология служила компании с 2012 по 2016 год и далее для других продуктов. Если заявления Зинснера подтвердятся, 14A может стать не просто рядовым обновлением, а фундаментальным прорывом, который вернёт Intel в число лидеров полупроводниковой индустрии.